[发明专利]一种制备半导体石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201810734820.1 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110683531A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李四中;茅勇平;马榕 | 申请（专利权）人： | 亨熙(上海)实业有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，用化学气相沉积的方法在钨丝表面利沉积碳元素与硼元素，在高温下实现硼子在碳原子的替代性掺杂。本发明通过利用碳源与硼源的气相高温沉积，在钨丝表面析出的碳以石墨或者石墨烯的形式存在，硼原子和碳原子大小差别较小，在硼原子在沉积的过程中会扩散到碳中，得到硼掺杂石墨烯。后将石墨烯作为沟道材料制备成场效应管进行电学表征，结果证明硼掺杂石墨烯是半导体材料。本发明易于连续化生产，是一种优异的半导体石墨烯材料，可广泛应用电子器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 硼掺杂 半导体石墨 钨丝表面 硼原子 碳原子 沉积 制备 半导体材料 化学气相沉积 连续化生产 析出 场效应管 大小差别 电学表征 电子器件 高温沉积 沟道材料 硼元素 碳元素 替代性 石墨 硼源 掺杂 扩散 应用 | ||
【主权项】：
1.权利要求书：/n一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：在密闭的空腔中，碳源气体与硼源气体及稀释气体在通电加热钨丝的表面沉积碳与硼，同时将钨丝不断牵引得到连续沉积的碳与硼及钨丝的复合细丝，后将含硼石墨与钨丝的复合物进行剥离得到含硼石墨，对含硼石墨在溶剂中进行超声或者微波处理即得到含硼石墨烯。/n
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