[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：对多晶硅层进行处理，形成图案化的有源层；在有源层上形成P型离子掺杂区；在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板处理第二光刻胶层，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；将位于光刻胶完全去除区的有源层形成N型离子掺杂区；对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于光刻胶半保留区的光刻胶，对于光刻胶半保留区对应的有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶。有益效果：利用半色调掩膜板控制光刻胶的遮挡区域，更容易控制遮挡区域的关键尺寸及关键尺寸的均一性，防止发生漏电流过大的情况。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、通过第一道构图工艺在基板上形成底栅极；S20、在所述基板上形成非晶硅层，将非晶硅层转化为多晶硅层；S30、通过第二道构图工艺，对所述多晶硅层采用刻蚀处理，形成图案化的有源层；S40、进行第三道构图工艺，在所述有源层上形成P型离子掺杂区，将P型离子注入所述P型离子掺杂区；S50、进行第四道构图工艺，在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，对位于所述光刻胶完全去除区的有源层注入N型离子，形成N型离子掺杂区；S60、对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于所述光刻胶半保留区的光刻胶，使与所述光刻胶半保留区对应的所述有源层露出，并对与所述光刻胶半保留区对应的所述有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶；S70、从下而上依次形成层间介质层、源漏极、平坦化层、公共电极层、钝化层以及像素电极层。