[发明专利]相变存储器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810736382.2 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109698269A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种相变存储器结构及其制造方法。本发明实施例涉及一种相变存储器结构，包含晶体管区域、位于所述晶体管区域上方的相变材料、位于所述晶体管区域上方并与所述相变材料接触的加热器以及围绕所述加热器及所述相变材料的电介质层。所述加热器包含具有第一热传导率的第一材料以及具有第二热传导率的第二材料，所述第一材料位于所述加热器的外围，所述第二热传导率大于所述第一热传导率，所述第二材料位于所述加热器的中心。本揭露还提供用以制造上述的相变存储器结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 相变存储器结构 热传导率 晶体管区域 相变材料 第二材料 第一材料 制造 电介质层 外围 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器结构，包含：晶体管区域；相变材料，位于所述晶体管区域上方；加热器，位于所述晶体管区域上方并与所述相变材料接触，所述加热器包含：第一材料，具有第一热传导率，所述第一材料位于所述加热器的外围；以及第二材料，具有大于所述第一热传导率的第二热传导率，所述第二材料位于所述加热器的中心；以及电介质层，围绕所述加热器及所述相变材料。
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