[发明专利]一种无像元成像器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810736578.1 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109148496A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张月蘅;沈文忠;白鹏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无像元成像器件及其制备方法，其中无像元成像器件包括光子频率上转换器件和硅基成像器件；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅基成像器件的受光面相耦接。本发明的无像元成像器件的整个器件相对紧凑、结构简单，也无需额外的读出电路设计，这不仅大大简化了器件制备工艺，也大大节约了成像成本。 | ||
| 搜索关键词： | 成像器件 像元 发光二极管 硅基成像器件 近红外探测器 光子频率 渐变层 上转换 制备 器件制备工艺 成像成本 读出电路 受光面 耦接 紧凑 发光 节约 | ||
【主权项】：
1.一种无像元成像器件，其特征在于，包括光子频率上转换器件和硅基成像器件；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅基成像器件的受光面相耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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