[发明专利]一种N掺杂Ge-Se-As OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201810736747.1 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109103330A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;刘广宇;宋志棠;陈莹;张菁;封松林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种N掺杂Ge‑Se‑As OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，所述N掺杂Ge‑Se‑As OTS材料的化学通式为GeSeAs0.2Nx，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 选通器 低电阻态 高电阻态 外部电场 制备 化学通式 热稳定性 电压低 开关比 | ||
【主权项】：
1.一种N掺杂Ge‑Se‑As OTS材料，其特征在于，所述材料的化学通式为GeSeAs0.2Nx，其中0
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