[发明专利]球栅阵列的封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201810738791.6 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN108899283B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 梁新夫;王亚琴 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214431 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种球栅阵列的封装结构及其封装方法,所述封装方法包括:提供一基板,所述基板的一侧表面至少具有用于设置焊球的第一区域及第二区域;于所述第一区域焊接至少一个第一焊球,于所述第二区域焊接至少一个第二焊球,其中,所述第一焊球与所述第二焊球的至少一参数不同,所述参数包括热传导性能、热膨胀系数及尺寸。本发明的球栅阵列的封装结构及其封装方法,在基板下方划定多个焊接区域,并在每个焊接区域焊接至少一参数不同的焊球,所述参数包括热传导性能及尺寸;如此,可以根据每个焊接区域的具体需求焊接具有不同参数的焊球,进而提升球栅阵列的封装结构的整体性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种球栅阵列的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:提供一基板,所述基板的一侧表面至少具有用于设置焊球的第一区域及第二区域;于所述第一区域焊接至少一个第一焊球,于所述第二区域焊接至少一个第二焊球,其中,所述第一焊球与所述第二焊球的至少一参数不同,所述参数包括热传导性能、、热膨胀系数及尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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