[发明专利]N在审
| 申请号： | 201810739065.6 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110684054A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 暴欣;陈秀琴;蔡佑德 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C07F15/02 | 分类号： | C07F15/02;H01F1/42;H01F41/00 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N | ||
| 搜索关键词： | 磁化 温度传感器 单斜晶系 分子存储 分子开关 感应器件 记忆特性 记忆作用 交叉配合 晶体参数 温度降低 应用提供 制备过程 空间群 变温 单核 晶系 自旋 制备 测试 应用 | ||
【主权项】：
1.一种N
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