[发明专利]一种基于原子层沉积技术的亚氧化钛薄膜制备方法

摘要

本发明公开一种基于原子层沉积技术的亚氧化钛薄膜制备方法，该方法的特征是采用原子层沉积镀膜技术，以四氯化钛作为钛前驱体源，去离子水作为氧前驱体源，先制备了二氧化钛薄膜，然后采用氢气作为还原剂，通过优化反应条件，得到多个物相混合的亚氧化钛薄膜。基于原子层沉积技术的优越性，此方法可以获得大面积、致密性好、质量均匀、表面平整、厚度可控的亚氧化钛薄膜。

主权项

1.一种基于原子层沉积技术的亚氧化钛薄膜制备方法，其特征在于：包括如下操作步骤：a）衬底表面处理：将衬底依次用丙酮溶液、无水乙醇溶液、去离子水超声清洗干净，然后将衬底用氮气（N2）吹干，放入原子层沉积设备的腔室中；b）在所述衬底上采用原子层沉积技术沉积二氧化钛，其中沉积二氧化钛包括：（i）利用载气将四氯化钛送入腔室，使四氯化钛与衬底表面发生自限制化学吸附，待四氯化钛脉冲结束后，通入载气将腔室内残余四氯化钛和反应副产物清扫干净，（ii）利用载气将去离子水送入腔室，使去离子水与衬底表面的四氯化钛发生化学反应，在衬底上生成二氧化钛层，待去离子水脉冲结束后，通入载气将腔室内残余去离子水和反应副产物清扫干净，（iii）重复循环（i）和（ii），直至得到设想厚度的二氧化钛；c）还原处理：将已沉积二氧化钛的衬底移至还原炉中，抽真空并加热还原炉至还原温度，然后充入氢气，使氢气还原二氧化钛生成亚氧化钛薄膜。