[发明专利]基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法在审
| 申请号： | 201810742627.2 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108892101A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 余丙军;周超;李嘉明;郭光冉;吴磊;钱林茂 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对干净的单晶硅表面进行氧化层去除处理，再依次对其表面进行清洗、干燥；S2、通过原子力显微镜或划痕设备利用金刚石针尖在单晶硅表面进行表面划痕加工；S3、采用四甲基氢氧化铵溶液对单晶硅表面进行刻蚀，刻蚀完成后对单晶硅表面进行清洗，获得单晶硅表面的三维纳米结构。本发明提供的加工方法采用直接对硅表面进行加工的方式，无需复杂的制样过程，方法简单，成本低，表面质量高；在加工过程中可随时更换所加工的位置，做到对加工点位的精确控制；此外，加工过程中除了需在洁净条件下进行外，对其他环境条件要求较低，可快速更换待加工样品，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅表面 加工 硅表面 选择性刻蚀 纳米加工 刻蚀 清洗 诱导 摩擦 四甲基氢氧化铵溶液 环境条件要求 三维纳米结构 原子力显微镜 金刚石针尖 氧化层去除 表面划痕 洁净条件 快速更换 设备利用 点位 划痕 制样 | ||
【主权项】：
1.一种基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、对干净的单晶硅表面进行氧化层去除处理，再依次对其表面进行清洗、干燥；S2、通过原子力显微镜或划痕设备利用金刚石针尖在单晶硅表面进行表面划痕加工；S3、采用TMAH溶液对单晶硅表面进行刻蚀，刻蚀完成后对单晶硅表面进行清洗，获得单晶硅表面的三维纳米结构。
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