[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，其包括双极晶体管和保护二极管且具有适合小型化的结构。在基板上配置有子集电极层和双极晶体管，该双极晶体管包括由载流子浓度比子集电极层的载流子浓度低的半导体构成的集电极层、基极层、发射极层。肖特基电极在集电极层的上表面的一部分的区域中与集电极层肖特基接触。包括该肖特基电极的保护二极管与基极层以及发射极层中的一方连接。在集电极层中，与基极层接合的部分和与肖特基电极接合的部分经由集电极层电连接。

主权项

1.一种半导体装置，具有：子集电极层，配置在基板上且由半导体构成；双极晶体管，包括：集电极层，配置在所述子集电极层上且由载流子浓度比所述子集电极层的载流子浓度低的半导体构成；基极层，配置在所述集电极层上且由半导体构成；以及发射极层，配置在所述基极层上且由半导体构成；以及第一保护二极管，包括第一肖特基电极，该第一肖特基电极在所述集电极层的上表面的一部分的区域中与所述集电极层肖特基接触，并且与所述基极层以及所述发射极层中的一方连接，在所述集电极层中，与所述基极层接合的部分和与所述第一肖特基电极接合的部分经由所述集电极层电连接。