[发明专利]在化学气相沉积中校准温度的方法在审
| 申请号： | 201810745140.X | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109306472A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈治棻;刘宗颖;房业勳;黄邦育;彭垂亚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在化学气相沉积中校准温度的方法中，提供半导体基板。在半导体基板中定义至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有第一深度(d1)。在设定一处理温度(T)下，使用至少一前驱物将涂布层沉积于半导体基板上。此涂布层定义出具有第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于上述至少一第一沟槽上。决定第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。然后，根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，其中此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 化学气相沉积 参考曲线 深度参数 预定标准 涂布层 函数关系 参考 前驱物 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在化学气相沉积中校准温度的方法，其特征在于，包含：提供一半导体基板，其定义至少一第一沟槽于该半导体基板内，该至少一第一沟槽具有一第一深度(d1)；在一处理温度(T)的一设定下，使用至少一前驱物沉积一涂布层于该半导体基板上，该涂布层定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且该至少一第二沟槽位于该至少一第一沟槽上；决定该第二深度(d2)相对于该第一深度(d1)的一深度参数(t)；以及根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，该预定标准参考曲线包含在一第一范围内的多个参考深度参数与在一第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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