[发明专利]一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器

摘要

一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高片上IC和电路系统的静电放电防护或抗浪涌能力。该双向瞬态电压抑制器主要由P衬底、深N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区和金属线构成。该器件通过结合二极管串触发电压低和BJT或SCR结构过电应力的鲁棒性强等优势，使器件在正、反向电学应力作用下，可实现无回滞且鲁棒性强的双向ESD或瞬态浪涌防护。

主权项

1.一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器，其特征在于：该双向瞬态电压抑制器包括P衬底(101)、深N阱(102)、N阱(103)、P阱(104)、第一P+注入区(105)、第一N+注入区(106)、第二P+注入区(107)、第二N+注入区(108)、第三P+注入区(109)、第三N+注入区(110)和金属线；其中，在P衬底(101)的表面区域设有深N阱(102)，P衬底(101)的左侧边缘与深N阱(102)的左侧边缘相连，深N阱(102)的右侧边缘与P衬底(101)的右侧边缘相连；在深N阱(102)的表面区域从左至右依次设有N阱(103)和P阱(104)，深N阱(102)的左侧边缘与N阱(103)的左侧边缘相连，N阱(103)的右侧边缘与P阱(104)的左侧边缘相连，P阱(104)的右侧边缘与深N阱(102)的右侧边缘相连；在N阱(103)的表面区域从左至右依次设有第一P+注入区(105)、第一N+注入区(106)和第二P+注入区(107)；在P阱(104)的表面区域从左至右依次设有第二N+注入区(108)、第三P+注入区(109)、第三N+注入区(110)；所述的金属线用于连接注入区，并从金属线中引出两个电极，作为两个电学应力终端。