[发明专利]一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法

摘要

本发明公开了一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法，使用横波‑横波单次散射响应模型对多晶体材料中近表面超声背散射现象进行描述，引入晶粒尺寸分布函数与六方晶的弹性模量协方差对原模型进行修正，并通过极值分布理论和修正后的横波‑横波单次散射响应模型的有机结合，给出了晶粒噪声的置信上限，最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。本发明能有效检出直径为0.2mm、埋深为1mm的近表面横通孔缺陷。与传统纵波的固定阈值方法和时变阈值方法对比，本发明的方法在高增益下不仅抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性，而且消除了由耦合剂与被检部件之间的声阻抗失配而产生的大界面回波对近表面缺陷信号的影响。

主权项

1.一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、利用六方晶弹性模量协方差与晶粒尺寸分布函数对横波‑横波单次散射响应模型进行修正，基于修正后的横波‑横波单次散射响应模型，构造理论空间标准差曲线，结合极值分布理论，建立晶粒噪声及其置信区间的正演模型；S2、根据被测试块，输入步骤S1所得理论模型中所需的各个参数，其中包括金相法得到的晶粒尺寸分布参数，继而得到一定置信度下理论的晶粒噪声上限曲线；S3、对被测试块进行超声C扫描，以步骤S2得到的晶粒噪声上限曲线为时变阈值，对缺陷进行成像，完成超声检测。