[发明专利]一种P波段表面波吸收材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810749850.X 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN108773858A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 梁迪飞;刘天民;李维佳;陈良;陈海燕;邓龙江;袁玉灵;周丽波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C01G53/00 分类号: C01G53/00;H05K9/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种P波段表面波吸收材料及其制备方法,属于电子材料制备技术领域。所述吸收材料为NiCuZn铁氧体复合材料,结构式为ZnxNiyCu1‑x‑yFe2‑aO4‑1.5a,其中,0.45≤x≤0.65,0.1≤y≤0.4,0≤a≤0.04。本发明提供的P波段表面波吸收材料在600M~800M频率范围内,磁导率实部在3~10之间,磁导率虚部在3~12之间,介电常数实部在3~12之间,介电常数虚部在0.1~1之间,可实现对600M~800M频率范围内表面波的良好吸收,且具有良好的抗氧化性能。
搜索关键词: 吸收材料 表面波 介电常数 制备 铁氧体复合材料 制备技术领域 磁导率实部 磁导率虚部 抗氧化性能 电子材料 实部 虚部 吸收
【主权项】:
1.一种P波段表面波吸收材料,其特征在于,所述吸收材料为NiCuZn铁氧体复合材料,结构式为ZnxNiyCu1‑x‑yFe2‑aO4‑1.5a,其中,0.45≤x≤0.65,0.1≤y≤0.4,0≤a≤0.04。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810749850.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top