[发明专利]太阳能电池制作方法有效

专利信息
申请号: 201810750610.1 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN108878592B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 申请(专利权)人: 成都先锋材料有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张欣欣
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供的太阳能电池制作方法,涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括:提供一模具,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;在每一固定槽固定一衬底;在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层;在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层;在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层,并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节;在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法,可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。
搜索关键词: 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:提供一模具,其中,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽,其中,所述衬底为铁材料层;针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;针对每一阻挡层,在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层,其中,所述电极层为钼材料层;针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层;针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层,并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节;针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具,以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池。
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