[发明专利]太阳能电池制作方法有效
申请号: | 201810750610.1 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN108878592B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 | 申请(专利权)人: | 成都先锋材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张欣欣 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的太阳能电池制作方法,涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括:提供一模具,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;在每一固定槽固定一衬底;在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层;在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层;在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层,并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节;在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法,可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:提供一模具,其中,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽,其中,所述衬底为铁材料层;针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;针对每一阻挡层,在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层,其中,所述电极层为钼材料层;针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层;针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层,并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节;针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具,以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先锋材料有限公司,未经成都先锋材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810750610.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的