[发明专利]一种蚀刻方法在审
| 申请号： | 201810751836.3 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109087868A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨鹏;周伟杰 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种蚀刻方法，包括以下步骤：步骤1、在待蚀刻产品上镀制DLC薄膜；步骤2、激光烧刻DLC薄膜形成DLC图案层；步骤3、将形成DLC图案层的产品放置于蚀刻液中，蚀刻形成产品图案；步骤4、等离子去除DLC图案层。本发明提供的蚀刻方法在待蚀刻产品上设置了DLC薄膜并且通过激光烧刻的方法来形成DLC图案层，在通过蚀刻液的蚀刻之后可以形成产品图案，继而通过等离子去除DLC图案层，可以有效完成待蚀刻产品的蚀刻作业，形成需要的产品图案。无需配合曝光显影的步骤，能够有效避免在曝光显影工艺过程中使用抗蚀刻油有害身体的问题，同时也无需特制用于掩膜板，能够有效降低生产成本，既能保证蚀刻精度，又能有效降低了生产工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 图案层 产品图案 曝光显影 等离子 蚀刻液 去除 激光 生产工艺难度 产品放置 工艺过程 掩膜板 镀制 配合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在待蚀刻产品上镀制DLC薄膜；步骤2、激光烧刻DLC薄膜形成DLC图案层；步骤3、将形成DLC图案层的产品放置于蚀刻液中，蚀刻形成产品图案；步骤4、等离子去除DLC图案层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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