[发明专利]现场可编程闸极阵列集成电路芯片

摘要

本发明公开了一种现场可编程闸极阵列集成电路芯片，其包括一可编程逻辑区块，该可编程逻辑区块用于对其输入进行一逻辑运算，其中该可编程逻辑区块包括一查找表，其中该可编程逻辑区块用于根据该多个输入的其中一该多个组合从该多个结果值中选择其一作为其输出；以及多个第一非挥发性内存单元，设在该FPGA IC芯片内，其中该多个第一非挥发性内存单元用于分别储存该多个结果值，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括具有一浮闸极N型MOS晶体管及一浮闸极P型MOS晶体管的一浮闸极CMOS内存单元，其中该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端耦接该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端，该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端与该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端为浮空的。

主权项

1.一种现场可编程闸极阵列集成电路芯片，其特征在于，包括：一可编程逻辑区块，设在该FPGA IC芯片内，其中该可编程逻辑区块用于对其输入进行一逻辑运算，其中该可编程逻辑区块包括一查找表，用于存有对该可编程逻辑区块的该多个输入的多个组合分别进行该逻辑运算的多个结果值，其中该可编程逻辑区块用于根据该多个输入的其中一该多个组合从该多个结果值中选择其一作为其输出；以及多个第一非挥发性内存单元，设在该FPGA IC芯片内，其中该多个第一非挥发性内存单元用于分别储存该多个结果值，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括具有一浮闸极N型MOS晶体管及一浮闸极P型MOS晶体管的一浮闸极CMOS内存单元，其中该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端耦接该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端，该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端与该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端为浮空的。