[发明专利]一种单片集成半导体阵列器件及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种单片集成半导体阵列器件及其制备方法，该阵列器件包括衬底及位于衬底上阵列排布的多个集成半导体器件；集成半导体器件包括HEMT及LED；HEMT位于衬底的第一区域，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及源极和栅极；LED位于衬底的第二区域，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本发明实施例提供的阵列器件完全基于三族氮化物，阵列中的单个器件为HEMT‑LED集成器件，器件内部无需金属线连接，可以简化器件结构，减少寄生电阻，制备更小尺寸的LED微显示器，实现完全基于三族氮化物的微显示器。

主权项

1.一种单片集成半导体阵列器件，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上阵列排布的多个集成半导体器件；所述集成半导体器件包括高电子迁移率晶体管HEMT以及发光二极管LED；其中，所述HEMT位于所述衬底的第一区域，所述HEMT包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层以及设置于所述势垒层上的源极和栅极；所述LED位于所述衬底的第二区域，所述LED包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层以及设置于所述p型层上的p型电极；所述n型层的侧壁与所述沟道层的侧壁接触；多条沿列方向排布的扫描线，所述扫描线与所述HEMT的栅极电连接；多条沿行方向排布的数据线，所述数据线与所述LED的p型电极电连接。