[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法有效
| 申请号： | 201810755826.7 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109148368B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;张新创;马佩军;朱青 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层、钝化层和保护层，牺牲层制备在衬底层上方；外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的帽层、势垒层、插入层、缓冲层和成核层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。所述外延层转移方法能够在保持器件结构完整性的同时减小器件的纵向尺寸，提高器件的散热性能，也可以实现器件在柔性器件领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | algan gan hemt 器件 外延 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层、钝化层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的帽层、势垒层、插入层、缓冲层和成核层；以及采用化学腐蚀液刻蚀所述衬底层上方的牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
