[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制造方法

摘要

本发明提供一种碳化硅门极可关断晶闸管，为在N+型SiC衬底上面设有的PNPN四层SiC结构，其上层为多条由复数个重复排列的上管P型发射区组成的条带，中层由上管N型基区、上管N型浓基区和上管N型浓基区汇流条组成，上管N型浓基区与上管N型浓基区汇流条相交或平行，上管N型汇流条的上表面与门极金属层连接。本发明提供的碳化硅门极可关断晶闸管可降低周边的电流密度，提高抗dI/dt和抗dV/dt的能力。

主权项

1.一种碳化硅门极可关断晶闸管，为在N+型SiC衬底上面设有的PNPN四层SiC结构，其上层为多条由复数个重复排列的上管P型发射区组成的条带，中层由上管N型基区、上管N型浓基区和上管N型浓基区汇流条组成，其中，上管N型浓基区和上管N型浓基区汇流条掺杂浓度比上管N型基区高，上管N型浓基区和上管N型浓基区汇流条位于上管N型基区的上部；上管P型发射区的下面有上管N型基区，上管N型基区的下面有下层上管P型集电区，上管P型集电区的下面有底层下管N型发射区，下管N型发射区的下面为N+型SiC衬底，该上管P型发射区的上表面连接阳极金属层，该N+型衬底下表面连接阴极金属层，其特征在于：该上管N型浓基区与上管N型浓基区汇流条相交或平行；该上管N型浓基区汇流条的上方设有的门极金属层，与上管N型浓基区汇流条的上表面相连接；该重复排列的上管P型发射区组成的的条带内相邻发射区之间的重复间距在50μm以内。