[发明专利]一种碳化硅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810756251.0 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108899361B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京优捷敏半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶;郭佩兰 |
| 地址： | 100012 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅双极型晶体管及其制造方法。该碳化硅双极型晶体管为在N+型SiC衬底上面设有的NPN三层SiC结构，其上层为多条由复数个重复排列的N型发射区组成的条带，中层由P型基区、P型浓基区和P型浓基区汇流条组成，N型发射区的下面有P型基区，中层P型基区的下面有下层N型集电区和N+型SiC衬底，该N型发射区的上表面连接发射极金属层，该N+型SiC衬底下表面连接集电极金属层，该P型浓基区与P型浓基区汇流条相交或平行；该基极金属层与P型浓基区汇流条的上表面相连接。本发明提供的碳化硅双极型晶体管可以降低周边的电流密度，提高功率器件的抗电流冲击能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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