[发明专利]改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法

摘要

本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法包括如下步骤：步骤一、形成多晶硅层并形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域。步骤二、对多晶硅层进行刻蚀形成具有垂直侧面台阶的多晶硅结构。步骤三、沉积厚度大于等于侧面台阶的高度的第一氧化层。步骤四、对第一氧化层进行全面刻蚀在多晶硅结构的侧面处形成侧墙。步骤五、沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃叠加而成的厚度小于多晶硅层的厚度的层间膜。步骤六、对硼磷硅玻璃进行退火回流并在多晶硅结构的台阶处形成第三倾斜结构。步骤七、形成接触孔的开口。步骤八、形成金属层并进行金属层的刻蚀。本发明能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

主权项

1.一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成多晶硅层，采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域；步骤二、以所述光刻胶图形为掩膜，采用各向异性刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀形成所述多晶硅结构，所述多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；步骤三、沉积第一氧化层，所述第一氧化层厚度大于等于所述多晶硅结构的侧面台阶的高度；所述第一氧化层在所述多晶硅结构的侧面台阶顶部形成第一倾斜结构；步骤四、对所述第一氧化层进行全面刻蚀并在所述多晶硅结构的侧面处形成一个由剩余的所述第一氧化层形成的侧墙，由所述侧墙的侧面形成第二倾斜结构，所述第二倾斜结构的倾斜角在所述第一倾斜结构的倾斜角的基础上保持或增加；步骤五、沉积层间膜；所述层间膜为常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加层，所述层间膜的厚度小于所述多晶硅层的厚度；步骤六、对所述硼磷硅玻璃进行退火回流，回流后的所述硼磷硅玻璃在所述第二倾斜结构顶部形成一个第三倾斜结构，所述第三倾斜结构的倾斜角在所述第二倾斜结构的倾斜角的基础上增加；步骤七、采用光刻工艺定义出接触孔的形成区域，对所述接触孔的形成区域的所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口；步骤八、形成金属层，所述金属层将所述接触孔完全填充；进行金属层的刻蚀将所述接触孔区域外的所述金属层全部去除，利用所述第三倾斜结构的侧面倾斜的特征消除在所述多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。