[发明专利]半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201810763024.0 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110707036B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚萤;林耿任 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件的制作方法，首先，提供一基底，基底上形成有一第一凹槽以及一第二凹槽，其中该第一凹槽的一宽度小于该第二凹槽的一宽度，接着形成一第一旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)，填满该第一凹槽并且部分填入该第二凹槽中，然后进行一第一处理步骤，以将该第一旋涂式介电层转换为一第一氧化硅层，后续形成一氮化硅层于该第二凹槽内的该第一氧化硅层上，然后形成一第二旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)于该第二凹槽中的该氮化硅层上，以及进行一第二处理步骤，以将该第二旋涂式介电层转换为一第二氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包含：/n提供一基底，基底上形成有第一凹槽以及第二凹槽，其中该第一凹槽的宽度小于该第二凹槽的宽度；/n形成一第一旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)，填满该第一凹槽并且部分填入该第二凹槽中；/n进行一第一处理步骤，以将该第一旋涂式介电层转换为第一氧化硅层；/n形成一氮化硅层于该第二凹槽内的该第一氧化硅层上；/n形成一第二旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)于该第二凹槽中的该氮化硅层上；以及/n进行一第二处理步骤，以将该第二旋涂式介电层转换为第二氧化硅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
