[发明专利]一种ZnMgO紫外探测器有效
| 申请号： | 201810763326.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108922930B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈星;刘可为;李炳辉;张振中;申德振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/036;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇;赵青朵 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ZnMgO紫外探测器，包括：ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgO薄膜，其气流与衬底平行，且生长温度较低，使制备得到的ZnMgO薄膜层具有结晶质量高，不出现分相，吸收截至边陡峭等特点，进而使包含ZnMgO薄膜层的紫外探测器具有较好的光效应能力，无需调解ZnMgO薄膜层的光吸收截止边即可调节器件的光响应截止边，而且制备工艺简单，反应过程容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 znmgo 紫外 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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