[发明专利]半导体图像传感器有效
申请号: | 201810763436.4 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109560093B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 庄君豪;周耕宇;吴纹浩;江伟杰;曾建贤;桥本一明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及一种半导体图像传感器。本发明实施例揭露一种背照式BSI图像传感器,其包括:衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;及多个像素传感器,其布置成阵列。所述像素传感器中的每一个包括:感光装置,其位于所述衬底中;彩色滤光器,其位于所述背面上的所述感光装置上方;及光学结构,其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。所述光学结构包括第一侧壁,且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。 | ||
搜索关键词: | 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种背照式BSI图像传感器,其包含:衬底,其包含正面及与所述正面对置的背面;像素传感器,其位于所述衬底中;绝缘结构,其安置于所述背面上的所述衬底上方,所述绝缘结构包含面向所述正面的第一表面及面向所述背面的第二表面,且所述第二表面包含朝向所述正面弯曲的弯曲表面;彩色滤光器,其位于所述背面上的所述衬底上方;以及微透镜,其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810763436.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光管结构、其制造方法及影像感测元件
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的