[发明专利]场阻型IGBT结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810765325.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109166914B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 黄平 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的场阻型IGBT结构，包括一N漂移区域，该N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，所述正面结构中包含发射极和栅极，其特征在于，所述背面结构具有一层N型缓冲层和一层集电极层，所述集电极层覆盖在所述N型缓冲层上。本发明还公开了该穿通型IGBT结构的制作方法。本发明与现有技术相比，具有如下优点:(1)不再需要传统的高能离子注入和激光退火；(2)N型Ge和P型Ge的掺杂由材料工厂制作，不再需要掺杂工艺以及退火工艺；(3)掺杂浓度可以按照要求来调整；(4)N型Ge层和P型Ge层可以在同一台蒸发设备或者溅射设备里完成。 | ||
| 搜索关键词： | 场阻型 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.场阻型IGBT结构，包括一N漂移区域，该N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，所述正面结构中包含发射极和栅极，其特征在于，所述背面结构具有一层N型缓冲层和一层集电极层，所述集电极层覆盖在所述N型缓冲层上。
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