[发明专利]超声波换能器阵列及其制作和封装方法有效
申请号: | 201810767230.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109192749B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 鲁瑶;万里兮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/20 | 分类号: | H01L27/20;H01L41/25;H01L41/29;H01L41/332;A61B8/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种超声波换能器阵列,其包括用于发射和接收超声波信号的接收发射层、设置在接收发射层的第一侧上的正极层以及设置在接收发射层的与第一侧相对的第二侧上的负极层。接收发射层和正极层被分割成多个超声波换能器阵元,使得多个超声波换能器阵元中的每一个均具有自身的正极,并且多个超声波换能器阵元具有公共的负极。本发明还提供制作以及封装超声波换能器阵列的方法。本发明提供的超声波换能器阵列可以在同一时间内检测到更大的组织面积,获得更完整的病灶信息,缩减诊断时间,并可以进行三维图像成像,从而获得更加直观的图像信息。 | ||
搜索关键词: | 超声波 换能器 阵列 及其 制作 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超声波换能器阵列,包括:接收发射层,所述接收发射层用于发射和接收超声波信号;正极层,所述正极层设置在所述接收发射层的第一侧上;以及负极层,所述负极层设置在所述接收发射层的与所述第一侧相对的第二侧上;其特征在于,所述接收发射层和所述正极层被分割成多个超声波换能器阵元,使得所述多个超声波换能器阵元中的每一个均具有自身的正极,并且所述多个超声波换能器阵元具有公共的负极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810767230.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED显示模组
- 下一篇:低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的