[发明专利]制造集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 201810768330.3 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109390218B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 姜栋薰;姜东佑;朴文汉;柳志昊;张钟光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲;王华芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成含碳的膜；在所述含碳的膜上形成含硅的有机抗反射膜，由此在所述基板上形成由所述含碳的膜和所述含硅的有机抗反射膜构成的堆叠掩模结构体；蚀刻所述含硅的有机抗反射膜，从而形成使所述含碳的膜的选定部分暴露的含硅的有机抗反射图案；使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜以形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面；和通过由所述复合掩模限定的多个空间将作为杂质的离子注入到所述基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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