[发明专利]摄像装置在审
| 申请号： | 201810768586.4 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109326618A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 平濑顺司;高见义则;山田翔太;佐藤好弘;佐藤嘉晃 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散区域 导电型 半导体基板 第二区域 第一区域 摄像装置 电荷 暗电流 像素 光电转换部 光转换 | ||
【主权项】：
1.一种摄像装置，具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧，所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
