[发明专利]半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 201810768931.4 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110718587B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体层；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的第一电极及第二电极；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述第一电极及第二电极之间的表面钝化介质层；及设置在所述半导体层远离所述衬底一侧，位于所述第一电极与所述表面钝化介质层之间用于隔离所述第一电极与所述表面钝化介质层的隔离层。通过隔离层将表面钝化介质层与第一电极隔离开，可以很好地起到抑制形成NiSi化合物，提高第一电极的肖特基结质量，降低漏电，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底上的半导体层；/n设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的第一电极及第二电极；/n设置在所述半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述第一电极及第二电极之间的表面钝化介质层；及/n设置在所述半导体层远离所述衬底一侧，位于所述第一电极与所述表面钝化介质层之间用于隔离所述第一电极与所述表面钝化介质层的隔离层。/n
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