[发明专利]薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810769820.5 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110718606A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐强;白安琪;郭会永 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例是关于一种薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法，涉及薄膜技术领域，主要解决的技术问题是覆盖膜层阻水性能较差。主要采用的技术方案为：一种薄膜的制备方法包括：采用第一沉积工艺在树脂膜层的表面上形成第一沉积层，使第一沉积层树脂膜层的表面的表孔被封盖；采用第二沉积工艺在所述第一沉积层上形成无机材料的第二沉积层。本发明的实施例中，由于树脂膜层本身的表孔被第一沉积层封盖，使得无机材料的第二沉积层形成的无机薄膜层具备较好的阻水性能，薄膜、薄膜太阳能电池的阻水性能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积层 树脂膜层 阻水性能 薄膜 薄膜太阳能电池 无机材料 封盖 沉积 制备 薄膜技术领域 无机薄膜层 覆盖膜层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n采用第一沉积工艺在树脂膜层的表面上形成第一沉积层，使第一沉积层树脂膜层的表面的表孔被封盖；/n采用第二沉积工艺在所述第一沉积层上形成无机材料的第二沉积层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810769820.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池片的烧结方法、降低光致衰减方法
- 下一篇：N型太阳能电池的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
