[发明专利]一种多传感器的协同制造工艺流程有效
| 申请号： | 201810774509.X | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108862186B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵敏 | 申请（专利权）人： | 河南汇纳科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 郑州裕晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41142 | 代理人： | 徐志威 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市航空港区四港联动大道与省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多传感器的协同制造工艺流程，其具体制备工艺流程如下：S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SOI顶层硅为n型掺杂；S2、进行两次正面离子注入；S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀；S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀；S8、对MEMS于CMOS三位集成；本发明具有协同效果好、制造简便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 协同 制造 工艺流程 | ||
【主权项】：
1.一种多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于，其具体制备工艺流程如下：S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SO1顶层硅为n型掺杂；S2、进行两次正面离子注入；S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀；S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀；S8、对MEMS于CMOS三位集成。
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