[发明专利]偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路有效
申请号: | 201810774609.2 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108897366B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 刘勇江;袁俊;陈光胜 | 申请(专利权)人: | 上海东软载波微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李笑笑;吴敏 |
地址: | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路,所述偏置启动电路包括:相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路,其中:所述启动电路,用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号,以控制所述偏置信号产生电路启动;所述启动电路包括启动电路单元,所述启动电路单元包括:第一电阻、第一电容和第一NMOS管;所述偏置信号产生电路,用于在接收到所述控制信号时,生成并输出偏置信号,并将所述偏置信号作为反馈信号反馈至所述启动电路以关闭所述启动电路。应用上述偏置启动电路,一方面可以有效降低启动电路的稳态电流,从而节省功耗;另一方面可以降低启动电路的器件面积,从而有效降低成本。 | ||
搜索关键词: | 偏置 启动 电路 集成 高压 低压 | ||
【主权项】:
1.一种偏置启动电路,其特征在于,包括:相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路,其中:所述启动电路,用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号,以控制所述偏置信号产生电路启动;所述启动电路包括启动电路单元,所述启动电路单元包括:第一电阻、第一电容和第一NMOS管,其中:所述第一电容,所述第一电容的第一端口与所述第一NMOS管的漏极耦接,所述第一电容的第二端口与所述第一NMOS管的栅极、所述第一电阻的第一端口耦接;所述第一电容的第一端口为所述启动电路单元的第一端口;所述第一电阻,所述第一电阻的第二端口与所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的衬底耦接;所述第一电阻的第二端口为所述启动电路单元的第二端口;所述偏置信号产生电路,用于在接收到所述控制信号时,生成并输出偏置信号,并将所述偏置信号作为反馈信号反馈至所述启动电路以关闭所述启动电路。
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