[发明专利]MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法、MoS2敏化TiO2薄膜及其应用在审
| 申请号： | 201810775180.9 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108786858A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;赵敏;缪锐;禹波;王顺;夏志远;薛俊 | 申请（专利权）人： | 合肥师范学院 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J35/06 |
| 代理公司： | 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 | 代理人： | 肖兴坤 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法、MoS2敏化TiO2薄膜及其应用，方法的步骤中含有：S1：准备一基片；S2：在基片上生长二氧化钛薄膜；S3：对二氧化钛薄膜进行紫外光照处理；S4：将一过程重复至少一次，得到MoS2敏化TiO2薄膜；其中，所述过程为：将少层MoS2分散液涂覆于二氧化钛薄膜上，涂覆结束后烘干。该方法通过直接在TiO2薄膜上敏化少层MoS2，制备得到的MoS2敏化TiO2薄膜作为光催化剂，具有单位面积降解效率高、可多次重复利用且稳定性好，无需离心分离回收和制备方法相对简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 敏化 制备 二氧化钛薄膜 少层 离心分离回收 多次重复 分散液涂 光催化剂 过程重复 降解效率 紫外光照 烘干 涂覆 应用 生长 | ||
【主权项】：
1.一种MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：S1：准备一基片；S2：在基片上生长二氧化钛薄膜；S3：对二氧化钛薄膜进行紫外光照处理；S4：将一过程重复至少一次，得到MoS2敏化TiO2薄膜；其中，所述过程为：将少层MoS2分散液涂覆于二氧化钛薄膜上，涂覆结束后烘干。
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