[发明专利]一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器在审
| 申请号： | 201810776305.X | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109065706A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 游龙;洪正敏;曾逸 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，包括n层磁性层和(n‑1)层绝缘层，磁性层和绝缘层交替设置，其中，n为大于等于2的整数，一层绝缘层及其上下层磁性层构成一个隧道结，n层磁性层和(n‑1)层绝缘层构成(n‑1)个隧道结。本发明提出的基于多层磁性薄膜的多值存储器，可以满足存储技术中高密度、多值存储、小尺寸、轻薄化和低功耗的要求。本发明的结构是一种磁性层与绝缘层交替叠加的磁性薄膜结构，可以看成多个磁性隧道结串联而成，本发明采用的是自旋流的自旋力矩转移效应翻转，其特点是功耗更低，无需外加磁场，且大小可以通过电流控制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 磁性层 隧道结 磁性薄膜 堆叠式 忆阻器 自旋 磁性隧道结 多值存储器 存储技术 电流控制 多值存储 交替叠加 交替设置 外加磁场 低功耗 轻薄化 上下层 翻转 多层 功耗 串联 | ||
【主权项】：
1.一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，包括n层磁性层和(n‑1)层绝缘层，磁性层和绝缘层交替设置，其中，n为大于等于2的整数，一层绝缘层及其上下层磁性层构成一个隧道结，n层磁性层和(n‑1)层绝缘层构成(n‑1)个隧道结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810776305.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁性隧道结
- 下一篇：一种适用于基于铁磁材料的多态存储器的多态存储方法
