[发明专利]一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法

摘要

一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。

主权项

1.一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片(2)水平固定放置在低阻硅晶圆(1)的上表面，对第一玻璃片(2)和低阻硅晶圆(1)进行阳极键合；步骤(二)、在低阻硅晶圆(1)的下表面沉积介质层掩膜，对介质层掩膜进行图形化刻蚀；按照介质层掩膜的图形，对低阻硅晶圆(1)进行刻蚀，获得低阻硅柱(3)；去除低阻硅晶圆(1)下表面的介质层掩膜；步骤(三)、将第二玻璃片(4)水平固定放置在低阻硅晶圆(1)的下表面；对第二玻璃片(4)和低阻硅晶圆(1)进行阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片(2)和第二玻璃片(4)厚度减薄；步骤(五)、在第一玻璃片(2)上表面和第二玻璃片(4)下表面均制备复合金属层，对复合金属层进行图形化刻蚀；步骤(六)、以图形化刻蚀后的复合金属层为腐蚀掩膜，对第一玻璃片(2)和第二玻璃片(4)进行图形化刻蚀；得到电学互连引线窗口(7)和焊点接触窗口(8)；步骤(七)、在第一玻璃片(2)上表面和电学互连引线窗口(7)处，铺满复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀，获得第一布线层(11)；在第二玻璃片(4)下表面和焊点接触窗口(8)处，铺满复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀，获得第二布线层(12)；步骤(八)、依次通过光刻、电镀工艺获得微凸点(13)。