[发明专利]功率器件及其封装方法在审
| 申请号： | 201810780535.3 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109037175A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郑琼如 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L29/45 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件，其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。本发明还提供功率器件的封装方法，增强芯片的散热效率和驱动性能，缩小芯片封装后的尺寸，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 功率器件 基板 第二金属层 第一金属层 导热组件 芯片 封装 衬底下表面 欧姆接触 驱动性能 散热效率 芯片封装 制造成本 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于：其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。
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