[发明专利]通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法有效
| 申请号： | 201810781647.0 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108766872B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | A·桑切斯;G·伊托夫;P·张;M·D·斯蒂芬斯;M·坎多尔沃 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及Si‑X和Ge‑X化合物(X＝N、P、As和Sb)及其制备方法，这通过在相应的未取代硅烷和胺(包括氨)或膦在金属催化剂催化下的脱氢偶联反应进行。这种新方法是基于Si‑H和X‑H结构部分的催化脱氢偶联反应以形成含Si‑X的化合物(X＝N、P、As和Sb)和氢气。此方法可以用过渡金属多相催化剂催化，例如碳负载的Ru(0)、负载于MgO上的Pd(0)，以及可以用作为均相催化剂的过渡金属有机金属配合物催化。通过脱氢偶联制备的‑Si‑X产物是本身不含卤素的。所述化合物可以用于通过含Si膜的化学气相沉积或原子层沉积方法沉积薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 催化 脱氢 卤素 方式 合成 氨基 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沉积含硅的膜的方法，此方法包括：将不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物的蒸气引入反应器中，其中前体化合物具有式R1R2NSi2H5或R1R2NSi3H7，其中R1和R2独立地选自H、直链或支化的C1‑C6烷基、直链或支化的C1‑C8链烯基、直链或支化的C1‑C8炔基、C6‑C10芳基、直链或支化的C1‑C6烷基醚、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、或者被直链或支化C1‑C6烷基取代的甲硅烷基；并且采用气相沉积方法将至少一部分的所述前体化合物沉积到基材上以形成含硅的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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