[发明专利]存储元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810783607.X | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729305A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 廖廷丰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储元件及其制造方法。存储元件包括基底、第一电路结构、多个第一导电柱、第二电路结构以及多个第二导电柱。第一电路结构设置于基底上。多个第一导电柱设置于第一电路结构中且沿第一方向排列，多个第一导电柱自第一电路结构的上层延伸至基底。第二电路结构设置于第一电路结构上。多个第二导电柱设置于第二电路结构中且沿第一方向排列，多个第二导电柱自第二电路结构的上层延伸至第一电路结构，且每一多个第二导电柱分别电性连接至每一多个第一导电柱。 | ||
| 搜索关键词： | 电路结构 导电柱 基底 存储元件 方向排列 上层 电性连接 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：/n基底；/n第一电路结构，设置于所述基底上；/n多个第一导电柱，设置于所述第一电路结构中且沿第一方向排列，其中所述多个第一导电柱自所述第一电路结构的上层延伸至所述基底；/n第二电路结构，设置于所述第一电路结构上；以及/n多个第二导电柱，设置于所述第二电路结构中且沿所述第一方向排列，其中所述多个第二导电柱自所述第二电路结构的上层延伸至所述第一电路结构，且每一所述多个第二导电柱分别电性连接至每一所述多个第一导电柱。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810783607.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
