[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置在审
| 申请号： | 201810783756.6 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216170A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3213;G03F7/16;G03F7/004;G03F1/76;C23C18/18;C23C18/16;C23C18/14 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 含金属膜 图案化剂 图案化 硬掩模 有机金属化合物 方法和装置 光致抗蚀剂 金属硬掩模 金属掩模 纳米图案 真空环境 感光性 金属盐 抗蚀剂 分辨率 波长 衬底 光刻 无光 沉积 半导体 金属 敏感 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属掩模的无光致抗蚀剂的方法，其包括：在半导体衬底上沉积EUV敏感的含金属膜；以及在真空环境中通过波长范围为10至20纳米之间的EUV曝光直接以低于30纳米的分辨率图案化所述含金属膜；以及显影图案以形成所述金属掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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