[发明专利]一种多级阻变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201810786319.X | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065709B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周晔;韩素婷;王展鹏;王燕;陈锦锐 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多级阻变存储器及制备方法，其中，多级阻变存储器从下至上包括：刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。本发明采用ZnSe/ZnS核壳量子点薄膜单独作为阻变层，ZnSe和ZnS的最高占据分子轨道（HOMO）和最低未占分子轨道（LUMO）的能量存在一定的差异，因此在两端施加偏压时需要克服两次不同能量大小的肖特基结势垒，使得基于核壳结构的ZnSe/ZnS量子点的阻变存储器具有多个组态，本发明的多级阻变存储器具有高存储密度、高稳定性、低功耗且适于高度集成等优点，具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 核壳量子点 分子轨道 阻变层 制备 高度集成 高稳定性 核壳结构 肖特基结 低功耗 底电极 顶电极 量子点 基底 势垒 组态 薄膜 应用 存储 施加 占据 | ||
【主权项】：
1.一种多级阻变存储器，其特征在于，从下至上包括：刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810786319.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
