[发明专利]一种分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法

摘要

一种用密度泛函理论研究DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，首先利用分子模拟软件建立Cu(110)表面、Cu(110)与DBDS复合模型以及Cu(110)与DBS复合模型，其次对复合模型进行结构优化，可以得到复合模型的功函变化，然后计算DBDS与DBS在Cu(110)表面上的吸附能，最后计算并分析DBDS分子与DBS分子的前线轨道分布、前线轨道能量差、电负性以及电荷分布。本发明提出一种用密度泛函理论研究DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法。与现在常用的实验方法相比，具有无损耗、节约成本、简单易行、可重复性高等优点。

主权项

1.一种用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在分子模拟软件内建立Cu(110)表面、Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型；步骤2：基于密度泛函理论的平面波超软赝势对步骤1中的Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型进行结构优化，优化完成后可以得到Cu(110)/DBDS和Cu(110)/DBS的功函变化；步骤3：在步骤2的结构优化的基础上，对Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型进行能量优化，完成后计算DBDS与DBS的吸附能；步骤4：以DND为基组，泛函数设为广义梯度近似GGA，对DBDS分子与DBS分子进行结构优化，在结构优化后的模型上进行能量优化，计算得到前线轨道分布和前线轨道能量值，分析DBDS分子与DBS分子的稳定性；步骤5：在Cu(110)/DBDS体系和Cu(110)/DBS体系结构和能量优化的基础上，对电荷分布进行分析，分析DBDS分子与DBS分子与铜的反应活性，即可完成DBS与DBS对铜绕组腐蚀性能的分析。