[发明专利]动态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201810787811.9 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739013B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 藤冈伸也;池田仁史 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王欢;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。所述DRAM包括一温度传感器、一动态存储器阵列、一控制电路、多个电力供应电路以及一电力控制电路。温度传感器感测DRAM的操作温度。控制电路耦接至动态存储器阵列，以及存取与管理动态存储器阵列。电力供应电路供电给动态存储器阵列与控制电路。电力控制电路控制所述多个电力供应电路的供电输出。当DRAM进入自刷新模式时，电力控制电路依照DRAM的操作温度而选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，所述动态随机存取存储器包括：/n温度传感器，感测所述动态随机存取存储器的操作温度；/n动态存储器阵列；/n控制电路，耦接至所述动态存储器阵列，以及存取与管理所述动态存储器阵列；/n多个电力供应电路，供电给所述动态存储器阵列与所述控制电路；以及/n电力控制电路，控制所述多个电力供应电路的供电输出，/n其中当所述动态随机存取存储器进入自刷新模式时，所述电力控制电路依照所述动态随机存取存储器的所述操作温度选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810787811.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
