[发明专利]半导体功率元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810789783.4 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739351A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 唐松年;陈和泰;许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体功率元件及其制造方法。半导体功率元件的制造方法包括：形成半导体层于基材上，半导体层内已至少形成基体区以及位于基体区内的源极区，且源极区的边缘与基体区的边缘之间定义出通道区；形成栅极堆叠结构于半导体层上，并在垂直方向上和通道区重叠；形成至少间隔部，以覆盖栅极堆叠结构的侧壁面，间隔部覆盖源极区的一部分，且源极区的另一部分暴露于上表面；以间隔部以及栅极堆叠结构为屏蔽，执行自对准硅化工艺，以形成接触源极区的硅化物层；以及形成内连线路结构于半导体层上。内连线路结构至少包括层间介电层以及电性连接源极区的源极导电层。硅化物层由源极导电层下方朝栅极堆叠结构的方向延伸至层间介电层下方。 | ||
| 搜索关键词： | 源极区 栅极堆叠结构 半导体层 间隔部 半导体功率元件 层间介电层 源极导电层 硅化物层 线路结构 基体区 通道区 电性连接 方向延伸 硅化工艺 侧壁面 上表面 自对准 基材 屏蔽 覆盖 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率元件的制造方法，其特征在于，所述半导体功率元件的制造方法包括：/n形成一半导体层于一基材上，其中，所述半导体层内至少具有一基体区以及位于所述基体区内的一源极区，所述源极区连接于所述半导体层的一上表面，且所述源极区与所述基体区之间定义出一通道区；/n形成一栅极堆叠结构于所述半导体层上，并在一垂直方向上和所述通道区重叠；/n形成至少一间隔部，以覆盖所述栅极堆叠结构的侧壁面，其中，所述间隔部覆盖所述源极区的一部分，且所述源极区的另一部分暴露于所述上表面；/n以所述间隔部以及所述栅极堆叠结构为屏蔽，执行一自对准硅化工艺，以形成接触所述源极区的一硅化物层；以及/n形成一内连线路结构于所述半导体层上，其中，所述内连线路结构至少包括一层间介电层以及电性连接所述源极区的一源极导电层；/n其中，所述硅化物层由所述源极导电层下方朝所述栅极堆叠结构的方向延伸至所述层间介电层下方。/n
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