[发明专利]具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法有效
| 申请号： | 201810790528.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109841569B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘昱廷;彭彦明;何伟硕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 该半导体结构包括具有第一区和与第一区相邻的第二区的半导体衬底；形成在第一区内的半导体衬底上的第一鳍；设置在第二区内的半导体衬底上的第一浅沟槽隔离(STI)部件；以及第一栅极堆叠件，包括直接设置在第一区内的第一鳍上的第一区段和延伸至第二区内的第一STI部件的第二区段。第一栅极堆叠件的第二区段包括依次堆叠的低电阻金属(LRM)层、第一氮化钽钛层、氮化钛铝层和第二氮化钽钛层。第一区内的第一栅极堆叠件的第一区段没有LRM层。本发明实施例涉及具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 栅极 接触 阈值 电压 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一区和与所述第一区相邻的第二区；第一鳍，形成在所述第一区内的所述半导体衬底上；第一浅沟槽隔离(STI)部件，设置在所述第二区内的所述半导体衬底上；以及第一栅极堆叠件，包括直接设置在所述第一区内的所述第一鳍上的第一区段和延伸至所述第二区内的所述第一浅沟槽隔离部件的第二区段，其中，所述第一栅极堆叠件的第二区段包括依次堆叠的低电阻金属(LRM)层，第一氮化钽钛层、氮化钛铝层和第二氮化钽钛层，其中，所述第一区内的所述第一栅极堆叠件的第一区段没有所述低电阻金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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