[发明专利]一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法有效
| 申请号： | 201810791634.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108922768B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴中平;黄益红;吴琼;葛洪良 | 申请（专利权）人： | 浙江中科磁业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 吴秉中 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法，属于磁性材料技术领域。本发明通过将低熔点Ce‑Al‑Cu高能球磨破碎或甩带微破碎后，与Ce基纳米稀土配合物混合，配置形成悬浊液扩散源，用高压喷射的方式将扩散源涂覆在钕铁硼磁体的表面，之后在高纯氩气保护下进行扩散热处理，通过改善磁体的晶界特性和主相分布获得高矫顽力钕铁硼磁体。经过本发明的高压热处理扩散后，使扩散磁体的矫顽力提高10~50%；同时，低扩散热处理温度，可以减少能耗，降低成本。本发明工艺过程简单，易操作，有利于高矫顽力烧结钕铁硼磁体在更多永磁器件中的应用，以满足市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 热处理 扩散 增强 钕铁硼 磁体 矫顽力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征在于，包括如下步骤：将低熔点Ce‑Al‑Cu高能球磨破碎或甩带微破碎后，与Ce基纳米稀土配合物混合，配置形成悬浊液扩散源，用高压喷射的方式将扩散源涂覆在钕铁硼磁体的表面，之后在高纯氩气保护下进行扩散热处理，通过改善磁体的晶界特性和主相分布获得高矫顽力钕铁硼磁体。
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