[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先利用半透光光罩对钝化层上的负型光阻材料进行曝光，形成交联部、外露的第一未交联部及由交联部覆盖的第二未交联部，通过第一次显影去除第一未交联部，在钝化层上形成过孔，然后对负型光阻材料进行灰化处理，将负型光阻材料减薄至露出第二未交联部，通过第二次显影去除第二未交联部，在负型光阻材料及露出的钝化层上沉积透明导电材料，形成钝化层上的像素电极，最后用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料及其上的透明导电材料；本发明通过分步显影的方式，解决了利用负型光阻材料形成half tone结构的技术难点，使3mask工艺使用负型光阻材料具有制程上的可行性。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、源极(51)及漏极(52)；步骤S2、在所述衬底基板(10)上形成覆盖源极(51)和漏极(52)的钝化层(60)；步骤S3、提供一半透光光罩(90)，所述半透光光罩(90)具有遮光图案(91)、半透光图案(92)及剩余的透光图案(93)，在所述钝化层(60)上涂布负型光阻材料(80)，利用所述半透光光罩(90)对负型光阻材料(80)进行曝光，在曝光过程中，对应于所述遮光图案(91)下方的负型光阻材料(80)以及对应于所述半透光图案(92)下方的负型光阻材料(80)的下半部分均未发生交联反应而分别形成第一未交联部(81)和第二未交联部(82)，而对应于所述透光图案(93)下方的负型光阻材料(80)以及对应于所述半透光图案(92)下方的负型光阻材料(80)的上半部分均发生交联反应而形成交联部(83)；步骤S4、对所述负型光阻材料(80)进行第一次显影，对应于所述遮光图案(91)的第一未交联部(81)被去除；步骤S5、以所述负型光阻材料(80)为遮蔽层，对所述钝化层(60)进行蚀刻，在所述漏极(52)上方形成过孔(61)并露出所述漏极(52)；步骤S6、对所述负型光阻材料(80)进行灰化处理，减薄所述负型光阻材料(80)的厚度至露出第二未交联部(82)；步骤S7、对所述负型光阻材料(80)进行第二次显影，对应于所述半透光图案(92)的第二未交联部(82)被去除；步骤S8、在所述负型光阻材料(80)及由负型光阻材料(80)露出的钝化层(60)上沉积透明导电材料，从而在所述钝化层(60)上形成像素电极(70)，所述像素电极(70)通过所述过孔(61)与漏极(52)相接触；步骤S9、用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料(80)及其上的透明导电材料。