[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括：硅衬底；设于硅衬底正面的感光区；设于硅衬底正面的感光区下方的金属互连区，金属互连区包括第一介质层和设于第一介质层中的多层金属互连层；设于第一介质层中的光反弹结构，光反弹结构对应位于感光区的下方，光反弹结构通过金属互连层引出；光反弹结构用于将自硅衬底背面入射的光线再次反射至感光区中，以提高入射光线在硅衬底中的光程，从而进一步提升光的吸收和转化效率。本发明还公开了一种CMOS图像传感器制备方法。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：硅衬底；设于所述硅衬底正面的感光区；设于所述硅衬底正面的感光区下方的金属互连区，所述金属互连区包括第一介质层和设于第一介质层中的多层金属互连层；设于所述第一介质层中的光反弹结构，所述光反弹结构对应位于感光区的下方，所述光反弹结构通过金属互连层引出；其中，所述光反弹结构用于将自硅衬底背面入射的光线再次反射至感光区中；以及设于所述硅衬底背面、对应位于感光区上方的滤色片及微透镜阵列。