[发明专利]磁性随机存取存储器结构有效
申请号: | 201810794914.8 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN110739326B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 朱中良;王裕平;陈昱瑞 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L23/532;H01L23/528;H01L23/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL),以及一第一导电通孔(via),直接接触该MTJ元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。 | ||
搜索关键词: | 磁性 随机存取存储器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,其特征在于,包含:/n晶体管,包含有栅极、源极以及漏极;/n磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有自由层、绝缘层以及固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该磁性隧穿介面元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该磁性隧穿介面元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL);以及/n第一导电通孔(via),直接接触该磁性隧穿介面元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的