[发明专利]一种非易失性存储器单元、阵列及制备方法有效
| 申请号： | 201810796535.2 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739313B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈耿川 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器单元、阵列及制备方法，该存储器单元包括一衬底、一栅极结构、一源极区域及一漏极区域，其中，栅极结构形成于衬底上，栅极结构自下而上依次包括第一栅介质层、第一导电层、第二栅介质层及第二导电层，源极区域形成于衬底中，源极区域包括一N型重掺杂源区，漏极区域形成于衬底中，漏极区域包括一N型掺杂漏区及一形成于N型掺杂漏区中的P型重掺杂漏区，源极区域与漏极区域分别位于栅极结构的两端，且N型掺杂漏区及P型重掺杂漏区均水平延伸至栅极结构下方，与栅极结构部分交迭。本发明的非易失性存储器单元及阵列在具有带间隧穿编程能力的同时，保留了N沟道较高的读取电流的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 单元 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，其特征在于，包括：/n一衬底；/n一栅极结构，形成于所述衬底上，所述栅极结构自下而上依次包括第一栅介质层、第一导电层、第二栅介质层及第二导电层；/n一源极区域，形成于所述衬底中，所述源极区域包括一N型重掺杂源区；/n一漏极区域，形成于所述衬底中，所述漏极区域包括一N型掺杂漏区及一形成于所述N型掺杂漏区中的P型重掺杂漏区；其中，所述源极区域与所述漏极区域分别位于所述栅极结构的两端，且所述N型掺杂漏区及所述P型重掺杂漏区均水平延伸至所述栅极结构下方，与所述栅极结构部分交迭。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
